كربيد السيليكون وGaN

ميزات وحدة RSC300FF^20C8NS-S04 SiC MOSFET: قاعدة مؤهلة للسيارات على AEC Q101، خسارة منخفضة للغاية، تشغيل عالي التردد، تيار إيقاف تشغيل صفري من MOSFET، تشغيل الجهاز في وضع إيقاف التشغيل الطبيعي، سهل التوازي، محاثة ضالة منخفضة، عزل >4kV دي سي لمدة ثانية واحدة، لوحة قاعدة دبوسية مبردة مباشرة، ركائز دي بي سي مقواة لموثوقية فائقة، مستشعر درجة حرارة المجلس الوطني الانتقالي متكامل، محطات إشارة ملائمة للضغط، إطار وحدة يو ال 94 V0، خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة.

ميزات وحدة RSC400FF120C8NS-S04 SiC MOSFET: قاعدة مؤهلة للسيارات على AEC Q101، خسارة منخفضة للغاية، تشغيل عالي التردد، تيار إيقاف تشغيل صفري من MOSFET، تشغيل الجهاز في وضع إيقاف التشغيل الطبيعي، سهل التوازي، محاثة ضالة منخفضة، عزل >4 كيلو فولت تيار مستمر لمدة ثانية واحدة، لوحة قاعدة دبوسية مبردة مباشرة، ركائز دي بي سي مقواة لموثوقية فائقة، مستشعر درجة حرارة المجلس الوطني الانتقالي متكامل، محطات إشارة ملائمة للضغط، إطار وحدة يو ال 94 V0، خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة.

مميزات وحدة RSC510FF120C8S-S07 SiC MOSFET: قاعدة مؤهلة للسيارات على AEC Q101، RDS منخفض (تشغيل)، تشغيل عالي التردد، جهد حجب عالي، مقاوم للإغلاق، مقاومة عالية للبوابة للمحركات، محاثة ضالة منخفضة، عزل >4 كيلو فولت تيار مستمر لمدة ثانية واحدة، لوحة قاعدة نحاسية ذات زعانف تبريد مباشر، عازل Si3N4 دي بي سي، أطراف إشارة ملائمة بالضغط، إطار وحدة يو ال 94 V0، خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة.

مميزات وحدة RSC400L65A8H-S09 كربيد السيليكون موسفت: خسارة منخفضة للغاية، تشغيل بتردد عالي، استرداد عكسي سريع، تيار إيقاف تشغيل صفري من موسفت، إيقاف تشغيل طبيعي، تشغيل جهاز آمن من الفشل، سهولة التوازي، دبابيس إشارة ملائمة للضغط، مستشعر درجة حرارة المجلس الوطني الانتقالي بالداخل، خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة.

ميزات وحدة MOSFET SiC RSC400FF120C8NS-S17:
1. قاعدة مؤهلة للسيارات على أساس AEC Q101
2. خسارة منخفضة للغاية
3. التشغيل عالي التردد
4.عدم وجود تيار إيقاف خلفي من MOSFET
5. تشغيل الجهاز بشكل طبيعي وآمن ضد الفشل
6. سهولة التوازي
7. المحاثة الضالة المنخفضة
8.>4 كيلو فولت تيار مستمر عزل لمدة ثانية واحدة
9. لوحة قاعدة الزعانف الدبوسية المبردة مباشرة
10. ركائز دي بي سي المقواة لتحقيق موثوقية فائقة
11. مستشعر درجة الحرارة المجلس الوطني الانتقالي المتكامل
12. اضغط على محطات الإشارة المناسبة
13. إطار وحدة يو ال 94 V0
14.خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة

ميزات وحدة بيانات كربيد السيليكون موسفت RSC300HF170T2NH:
• خسارة منخفضة للغاية
• التشغيل عالي التردد
• تيار الاسترداد العكسي صفر من الصمام الثنائي
• تيار إيقاف التشغيل الصفري من موسفت
• تشغيل الجهاز بشكل طبيعي وآمن
• سهولة التوازي
• لوحة قاعدة نحاسية وعازل نتريد الألومنيوم

تتميز وحدة RSC300HF120T2NH كربيد السيليكون موسفت بما يلي: خسارة منخفضة للغاية، تشغيل عالي التردد، تيار استرداد عكسي صفري من الصمام الثنائي، تيار إيقاف تشغيل صفري من موسفت، إيقاف التشغيل بشكل طبيعي، تشغيل الجهاز بشكل آمن، سهولة التوصيل المتوازي، لوحة قاعدة نحاسية وعازل نتريد الألومنيوم.

مميزات وحدة RSC300FF120C8NS-S17 SiC MOSFET: قاعدة مؤهلة للسيارات على AEC Q101، خسارة منخفضة للغاية، تشغيل عالي التردد، إيقاف تشغيل صفري، تيار ذيل من MOSFET، إيقاف تشغيل طبيعي، تشغيل جهاز آمن من الفشل، سهولة التوصيل بالتوازي، محاثة ضالة منخفضة، عزل >4 كيلو فولت تيار مستمر لمدة ثانية واحدة، لوحة قاعدة دبوسية مبردة مباشرة، ركائز دي بي سي مقواة من أجل موثوقية فائقة، مستشعر درجة حرارة المجلس الوطني الانتقالي متكامل، محطات إشارة ملائمة للضغط، إطار وحدة يو ال 94 V0، خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة.

ميزات وحدة MOSFET SiC RSC200FF120C8NS-S04:
1. قاعدة مؤهلة للسيارات على أساس AEC Q101
2. خسارة منخفضة للغاية
3. التشغيل عالي التردد
4.عدم وجود تيار إيقاف خلفي من MOSFET
5. تشغيل الجهاز بشكل طبيعي وآمن ضد الفشل
6. سهولة التوازي
7. المحاثة الضالة المنخفضة
8.>4 كيلو فولت تيار مستمر عزل لمدة ثانية واحدة
9. لوحة قاعدة الزعانف الدبوسية المبردة مباشرة
10. ركائز دي بي سي المقواة لتحقيق موثوقية فائقة
11. مستشعر درجة الحرارة المجلس الوطني الانتقالي المتكامل
12. اضغط على محطات الإشارة المناسبة
13. إطار وحدة يو ال 94 V0
14.خالية من الرصاص، متوافقة مع متطلبات حظر المواد الخطرة